Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Förbättring, 24 Ben, TSDSO, IQE
- RS-artikelnummer:
- 260-1073
- Tillv. art.nr:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
74,48 kr
(exkl. moms)
93,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 950 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 37,24 kr | 74,48 kr |
| 20 - 48 | 33,15 kr | 66,30 kr |
| 50 - 98 | 31,305 kr | 62,61 kr |
| 100 - 198 | 29,01 kr | 58,02 kr |
| 200 + | 26,825 kr | 53,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1073
- Tillv. art.nr:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 310A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | TSDSO | |
| Serie | IQE | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 24 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 310A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp TSDSO | ||
Serie IQE | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 24 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET-transistorer gör att källpotentialen kan anslutas till kretskortet över den termiska dynan, vilket ger flera fördelar, t.ex. ökad termisk kapacitet, avancerad effekttäthet eller förbättrade layoutmöjligheter. De har också de minskade kraven på aktiv kylning och den effektiva layouten för värmehantering som är fördelar på systemnivå.
Möjliggör högsta effekttäthet och prestanda
Överlägsen termisk prestanda
Optimerade layoutmöjligheter
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Förbättring, 24 Ben, TSDSO, IQE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Förbättring, 8 Ben, WHSON, IQE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WHSON, IQE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V Förbättring, 9 Ben, WHTFN, IQE
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 100 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, PG-TSDSO, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 205 A, TSON, IQE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V, TTFN, IQE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
