Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Förbättring, 24 Ben, TSDSO, IQE

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

74,48 kr

(exkl. moms)

93,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 980 enhet(er) från den 27 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1837,24 kr74,48 kr
20 - 4833,15 kr66,30 kr
50 - 9831,305 kr62,61 kr
100 - 19829,01 kr58,02 kr
200 +26,825 kr53,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-1073
Tillv. art.nr:
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

310A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Kapseltyp

TSDSO

Serie

IQE

Typ av fäste

Yta

Antal ben

24

Maximal drain-källresistans Rds

0.75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon IQE-serien MOSFET, 25 V maximal drain-source-spänning, 310 A maximal kontinuerlig drain-ström – IQE006NE2LM5CGSCATMA1


Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningstransistor som är utformad för strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver hög kontinuerlig ström och låga ledningsförluster samtidigt som den uppfyller RoHS-gränsvärden. Enheten använder ett 24-stifts TSDSO-paket och är avsedd för kompakt integrering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:


• 0.75 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna vid drift med hög ström
• 1 V framspänning minskar strömförluster i ledningsbanor
• 310 A kontinuerlig dräneringsström stöder omkopplingskrav för tung belastning
• Arbetsområde -55 °C till 150 °C möjliggör användning i extrema temperaturer
• 24-stifts ytmontering underlättar kretskortsmontering med hög densitet

Användningsområden


• Lämpligt för högströms-DC-DC-omvandlarsteg
• Idealisk för strömfördelning inom industriell elektronik
• Används med motorstyrningsteg som kräver låga förluster
• Kan användas för halvledarstyrda strömomkopplingsmoduler
• Passar för kompakta konstruktioner för ytmontering med hög effekt

Vilket paket använder den för kretskortsmontering?


Den levereras i en TSDSO-kapsel konfigurerad för ytmontering.

Hur påverkar kanaltypen kopplingsbeteendet?


N-kanalens förstärkningsläge ger låg påslagningsresistans och effektiv ledning när den körs in i förstärkning.

Vilka miljögränser definierar dess användbara temperatur?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C för breda termiska förhållanden.

Vilken regleringsbegränsning iakttas för material?


Komponenten är RoHS-kompatibel, vilket begränsar vissa farliga ämnen.

Vilken dräneringsspänning bör inte överskridas?


Den maximala tillåtna dräneringskällspänningen är 25 V.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.