Infineon N Kanal, MOSFET, 118 A 100 V N, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 259-2604
- Tillv. art.nr:
- IPD052N10NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
97,30 kr
(exkl. moms)
121,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 965 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,46 kr | 97,30 kr |
| 50 - 120 | 17,526 kr | 87,63 kr |
| 125 - 245 | 16,36 kr | 81,80 kr |
| 250 - 495 | 15,356 kr | 76,78 kr |
| 500 + | 14,192 kr | 70,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-2604
- Tillv. art.nr:
- IPD052N10NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 118A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 118A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons StrongIRFET 2 effekt-MOSFET är optimerade för ett brett spektrum av applikationer som SMPS, motorstyrning, batteridriven, batterihantering, UPS och lätta elfordon. Den här nya tekniken erbjuder upp till 40 procent RDS(on)-förbättring och upp till 60 procent lägre Qg jämfört med de tidigare StrongIRFET-enheterna, vilket innebär högre energieffektivitet för förbättrad övergripande systemprestanda. Ökade strömvärden möjliggör högre strömbärande kapacitet, vilket eliminerar behovet av att parallellt använda flera enheter, vilket resulterar i lägre BOM-kostnader och kortbesparingar.
Bred tillgänglighet från distributionspartners
Utmärkt pris/prestandaförhållande
Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens
Industristandard för genomgående hål
Högströmsklassning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 118 A 100 V N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.9 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18.1 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A N, PG-TO-252, IPD