Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 129 A 80 V P, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 259-2599
- Tillv. art.nr:
- IPD040N08NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
57,01 kr
(exkl. moms)
71,262 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 712 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 28,505 kr | 57,01 kr |
| 20 - 48 | 25,255 kr | 50,51 kr |
| 50 - 98 | 23,97 kr | 47,94 kr |
| 100 - 198 | 22,23 kr | 44,46 kr |
| 200 + | 20,495 kr | 40,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-2599
- Tillv. art.nr:
- IPD040N08NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 129A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanalläge | P | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 129A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanalläge P | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons StrongIRFET 2 effekt-MOSFET är optimerade för ett brett spektrum av applikationer som SMPS, motorstyrning, batteridriven, batterihantering, UPS och lätta elfordon. Den här nya tekniken erbjuder upp till 40 procent RDS(on)-förbättring och upp till 60 procent lägre Qg jämfört med de tidigare StrongIRFET-enheterna, vilket innebär högre energieffektivitet för förbättrad övergripande systemprestanda. Ökade strömvärden möjliggör högre strömbärande kapacitet, vilket eliminerar behovet av att parallellt använda flera enheter, vilket resulterar i lägre BOM-kostnader och kortbesparingar.
Bred tillgänglighet från distributionspartners
Utmärkt pris/prestandaförhållande
Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens
Industristandard för genomgående hål
Högströmsklassning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 129 A 80 V P, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15.1 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -80 A -30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 30 V N, TO-252, IPD