Infineon, MOSFET, 150 A 30 V, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3994
- Tillv. art.nr:
- IRLB4132PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
118,50 kr
(exkl. moms)
148,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 895 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,70 kr | 118,50 kr |
| 50 - 120 | 21,10 kr | 105,50 kr |
| 125 - 245 | 19,712 kr | 98,56 kr |
| 250 - 495 | 18,548 kr | 92,74 kr |
| 500 + | 17,024 kr | 85,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3994
- Tillv. art.nr:
- IRLB4132PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead-Free, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Lead-Free, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET effekt-MOSFET optimerad för bredaste tillgänglighet från distributionspartners. Dess produktkvalificering enligt JEDEC-standard.
Optimerad för 5 V gate-drivspänning
Genomgående strömförsörjningshål enligt industristandard
Högströmsbärande kapacitetspaket
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 150 A 30 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET