Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

9 096,00 kr

(exkl. moms)

11 370,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +4,548 kr9 096,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3979
Tillv. art.nr:
IRFR15N20DTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

17A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

165mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27nC

Maximal effektförlust Pd

140W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons effekt-MOSFET använder beprövade kiselprocesser som erbjuder designers ett brett sortiment av enheter för att stödja olika tillämpningar som DC-motorer, växelriktare, SMPS, belysning, lastomkopplare samt batteridrivna tillämpningar. Enheterna finns tillgängliga i en mängd olika ytmonterings- och genomgående hålförpackningar med industristandardfotavtryck för enkel design.

Plan cellstruktur för bred SOA

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ökad robusthet

Kompatibilitet med flera leverantörer

Kvalifikationsnivå enligt branschstandard

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.