Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 211 A 650 V N, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

52 036,00 kr

(exkl. moms)

65 045,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +52,036 kr52 036,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3826
Tillv. art.nr:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

211A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons CoolMOS C3A-teknik har utformats för att möta de växande kraven på högre systemspänningar inom elfordon, t.ex. PHEV och BEV.

Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet

Högre genombrottsspänning

Hög toppströmskapacitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.