Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V N, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

13 643,00 kr

(exkl. moms)

17 054,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +13,643 kr13 643,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3808
Tillv. art.nr:
IPB60R299CPAATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOS effekttransistor har hög toppströmskapacitet, dess fordons-AEC Q101-kvalificerad.

Ultralåg grindladdning

Extrem dv/dt-klassad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.