Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-0916
- Tillv. art.nr:
- IAUC120N04S6N010ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
58,35 kr
(exkl. moms)
72,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 766 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 29,175 kr | 58,35 kr |
| 20 - 48 | 26,265 kr | 52,53 kr |
| 50 - 98 | 24,47 kr | 48,94 kr |
| 100 - 198 | 22,735 kr | 45,47 kr |
| 200 + | 21,055 kr | 42,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0916
- Tillv. art.nr:
- IAUC120N04S6N010ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
>
N-kanal – Förbättringsläge – normal LevelAEC Q101-kvalificerad
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101