Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-0927
- Tillv. art.nr:
- IAUC60N04S6L039ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
75,26 kr
(exkl. moms)
94,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 385 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,052 kr | 75,26 kr |
| 50 - 120 | 12,342 kr | 61,71 kr |
| 125 - 245 | 11,604 kr | 58,02 kr |
| 250 - 495 | 10,842 kr | 54,21 kr |
| 500 + | 9,924 kr | 49,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0927
- Tillv. art.nr:
- IAUC60N04S6L039ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IAUC | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IAUC | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUC-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 60 A maximal kontinuerlig drain-ström - IAUC60N04S6L039ATMA1
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för styrning av högströmsfordon. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för användning där robust termisk tolerans och kompakt montering krävs. Enheten överensstämmer med industrins miljöstandarder och är förpackad för att stödja effektiv kretskortsmontering.
Funktioner och fördelar:
• 3.9 mΩ Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 40 V Vds-kapacitet för mellanspänningsdesigner
• 60 A kontinuerlig dräneringsström för hantering av tung belastning
• Arbetsområde -55 °C till +175 °C för extrema temperaturer
• 1,1 V framspänning för att stödja effektiv omkoppling
• 40 V Vds-kapacitet för mellanspänningsdesigner
• 60 A kontinuerlig dräneringsström för hantering av tung belastning
• Arbetsområde -55 °C till +175 °C för extrema temperaturer
• 1,1 V framspänning för att stödja effektiv omkoppling
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmfördelningsenheter
• Idealisk för högströmsmotordrivningsstegen
• Används med batterihanteringssystem i fordon
• Kan användas för DC-DC-omvandling i transportelektronik
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
• Idealisk för högströmsmotordrivningsstegen
• Används med batterihanteringssystem i fordon
• Kan användas för DC-DC-omvandling i transportelektronik
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
Vilken monteringsmetod krävs?
Den är avsedd för ytmontering i TDSON-kapslar.
Vilken kanalpolaritet och vilket läge använder den?
Den använder ett N-kanalförstärkningsläge för omkopplingsstyrning.
Hur uppfyller den kraven för fordonsbelastning?
Den uppfyller AEC-Q101 för fordonskvalificering.
Är den miljövänlig?
Den är RoHS-kompatibel och uppfyller standarder för begränsade ämnen.
Hur många stift finns tillgängliga för kretskortsanslutningar?
Del levereras i en 8-stiftskonfiguration.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 41 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101