Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

45 295,00 kr

(exkl. moms)

56 620,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 31 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +9,059 kr45 295,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-0915
Tillv. art.nr:
IAUC120N04S6N010ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TDSON

Serie

IAUC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

81nC

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal effektförlust Pd

150W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

>

N-kanal – Förbättringsläge – normal LevelAEC Q101-kvalificerad

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.