Infineon N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 258-0678
Tillv. art.nr:: BSC012N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSON, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

106 850,00 kr

(exkl. moms)

133 550,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 02 november 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	21,37 kr	106 850,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-0678
Tillv. art.nr:: BSC012N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	306A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	TSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.20mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	214W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 306A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp TSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.20mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 214W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V drain-source-spänning, 306 A kontinuerlig drain-ström – BSC012N06NSATMA1

Denna MOSFET är en högströmsförstärkningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad effektomvandling och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och stöder gate-drivspänningar upp till den angivna gränsen. Enheten levereras i ett kompakt TSON-paket för montering på kretskort med låg profil och uppfyller RoHS-miljöbegränsningar.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster för högeffektiva konstruktioner
• Hög kontinuerlig ström möjliggör kompakta högeffektsmoduler
• Betydande effektförlust stöder långvariga termiska belastningar
• Brett arbetstemperaturområde upprätthåller prestanda under tuffa förhållanden
• Gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivenhetsimplementeringar för omkopplingskretsar

Användningsområden

• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkron likriktering i strömhanteringssteg
• Används med motorstyrda växelriktare som kräver ytmonteringslösningar
• Kan användas för server- och telekommunikationsmoduler för strömfördelning

Vilken monteringsmetod rekommenderas för tillförlitlig kretskortsanslutning?

Enheten levereras som en ytmonterad komponent i en TSON-kapsel utformad för lödning på kretskortsdynor för montering med låg profil.

Hur påverkar den nominella grindspänningen valet av drivare?

Den maximala grind-till-källspänningen är 20 V, så förare bör inte överskrida denna tröskel för att undvika grindskador.

Vilka termiska gränser bör beaktas för kontinuerlig drift?

Delen kan avleda upp till 214 W

värmehantering måste säkerställa att kopplingstemperaturerna förblir inom det tillåtna driftområdet.

Är enheten lämplig för fordonskvalificering?

Komponenten är inte specificerad för att uppfylla fordonsstandarder och bör utvärderas i enlighet därmed.

Vilka framåtriktade diodegenskaper är relevanta för synkroniserade konstruktioner?

Den inneboende dioden uppvisar en framåtriktad spänning på 1,2 V som påverkar lednings- och återhämtningsbeteendet i likriktningskretsar.