Infineon N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSON, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

106 850,00 kr

(exkl. moms)

133 550,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +21,37 kr106 850,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-0678
Tillv. art.nr:
BSC012N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

306A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TSON

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.20mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

214W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS MOSFET i SuperSO8-paket utökar OptiMOS 3- och 5-produktportföljen och möjliggör högre effekttäthet förutom förbättrad robusthet, vilket svarar på behovet av lägre systemkostnad och ökad prestanda. Låg omvänd återställningsladd förbättrar systemets tillförlitlighet genom att ge en betydande minskning av spänningsöverskridning, vilket minimerar behovet av snubberkretsar, vilket resulterar i mindre tekniska kostnader och ansträngning.

Lägre temperatur vid full belastning

Utan parallellkoppling

Minskad överskjutning

Ökad effekttäthet i systemet

Mindre storlek

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.