Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 460 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 762-984
- Tillv. art.nr:
- IQFH68N06NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
67,76 kr
(exkl. moms)
84,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 67,76 kr |
| 10 - 99 | 46,48 kr |
| 100 - 499 | 33,82 kr |
| 500 - 2999 | 32,48 kr |
| 3000 + | 30,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-984
- Tillv. art.nr:
- IQFH68N06NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 460A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TSON-12 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 12 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.68mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 168nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 273W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 8mm | |
| Bredd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 460A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TSON-12 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 12 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.68mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 168nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 273W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 8mm | ||
Bredd 6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOS 5Power-transistor, 60 V optimerad för lågspänningsdrivningar, batteridriven och synkroniserad likriktningsapplikation. Helt kvalificerad enligt JEDEC för industriella tillämpningar.
100 % avalanche-testade
Överlägsen värmebeständighet
N-kanal
Blyfri plätering, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 339 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 394 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 127 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 127 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS