Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6768
- Tillv. art.nr:
- IRFR2607ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
132,61 kr
(exkl. moms)
165,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,522 kr | 132,61 kr |
| 50 - 120 | 24,102 kr | 120,51 kr |
| 125 - 245 | 22,534 kr | 112,67 kr |
| 250 - 495 | 20,944 kr | 104,72 kr |
| 500 + | 13,306 kr | 66,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6768
- Tillv. art.nr:
- IRFR2607ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Denna design har ytterligare funktioner som 175 °C kopplingsdriftstemperatur, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning.
Ultralåg påslagningsresistans
Upprepad avalanche tillåten upp till Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET