Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9401
- Tillv. art.nr:
- IRFR120NTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2000 enheter, på en rulle med 2000)*
11 262,00 kr
(exkl. moms)
14 078,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 5,631 kr | 11 262,00 kr |
| 4000 + | 5,40 kr | 10 800,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9401
- Tillv. art.nr:
- IRFR120NTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Standarder/godkännanden | EIA-481, EIA-541 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Standarder/godkännanden EIA-481, EIA-541 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFR-serie är en 100V IR-mosfet med en enda n-kanal i D Pak-förpackning. IR mosfet-familjen av effektmosfeter bygger på beprövade kiselprocesser och erbjuder konstruktörer en bred portfölj av enheter för olika applikationer som likströmsmotorer, inverterare, SMPS, belysning, lastbrytare och batteridrivna applikationer. Enheterna finns i en mängd olika ytmonterade och genomgående hål med industristandardiserade fotavtryck som underlättar konstruktionen.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 100 V, TO-252, HEXFET
