Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 340 A 40 V, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5822
- Tillv. art.nr:
- IRFS3004TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
80,75 kr
(exkl. moms)
100,938 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 40,375 kr | 80,75 kr |
| 20 - 48 | 35,505 kr | 71,01 kr |
| 50 - 98 | 33,04 kr | 66,08 kr |
| 100 - 198 | 31,025 kr | 62,05 kr |
| 200 + | 28,67 kr | 57,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5822
- Tillv. art.nr:
- IRFS3004TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 340A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 380W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 340A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal effektförlust Pd 380W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
High efficiency synchronous rectification in SMPS
Uninterruptible power supply