Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5535
- Tillv. art.nr:
- IRFHS8242TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 4000 enheter)*
7 528,00 kr
(exkl. moms)
9 408,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 1,882 kr | 7 528,00 kr |
| 8000 + | 1,657 kr | 6 628,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5535
- Tillv. art.nr:
- IRFHS8242TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.1W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 2mm | |
| Höjd | 900μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.1W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 2mm | ||
Höjd 900μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons strongIRFET power MOSFET-familj är optimerad för lågt RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Låg RDSon (< 58 M)
Låg termisk resistans mot kretskort (<12°C/W)
100% Rg-testad
Låg profil (<09 mm)
Stiftutformning enligt industristandard
Kompatibel med befintliga ytmonteringstekniker
RoHS-kompatibel och innehåller inget bly, ingen bromid och inga halogener på ett miljövänligt sätt
MSL1, industriell kvalificering
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 117 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.2 A 100 V, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.4 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET