Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 100 V, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 100 enheter)*

1 279,50 kr

(exkl. moms)

1 599,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
100 +12,795 kr1 279,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5517
Tillv. art.nr:
IRFB4410PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

88A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Kretskort

Maximal drain-källresistans Rds

10mΩ

Maximal effektförlust Pd

200W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Genomgående strömförsörjningshål enligt industristandard

Högströmsklassning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.