Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 100 enheter)*

1 141,10 kr

(exkl. moms)

1 426,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
100 - 10011,411 kr1 141,10 kr
200 - 4009,357 kr935,70 kr
500 +9,138 kr913,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5512
Tillv. art.nr:
IRFB3307PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Kretskort

Maximal drain-källresistans Rds

6.3mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

200W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Genomgående strömförsörjningshål enligt industristandard

Högströmsklassning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.