Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 1 kV, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG30
- RS-artikelnummer:
- 256-7300
- Tillv. art.nr:
- IRFPG30PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
631,68 kr
(exkl. moms)
789,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 400 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 25,267 kr | 631,68 kr |
| 100 - 475 | 21,88 kr | 547,00 kr |
| 500 - 975 | 17,817 kr | 445,43 kr |
| 1000 + | 16,554 kr | 413,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7300
- Tillv. art.nr:
- IRFPG30PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Serie | IRFPG30 | |
| Kapseltyp | TO-247AC | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Serie IRFPG30 | ||
Kapseltyp TO-247AC | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.21mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRFPG30-serien effekt-MOSFET, 1000 V maximal drain-källspänning, 125 W maximal effektförlust – IRFPG30PBF
Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och strömomvandlingsuppgifter i krävande miljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde och levereras i en hålkapsling för robust montering och termisk hantering, vilket gör den lämplig för industriella och högspänningstillämpningar där kontrollerad omkoppling och värmeavledning krävs.
Funktioner och fördelar:
• 1000 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 3,1 A kontinuerlig ström stöder måttlig lastledning
• 125 W avledning möjliggör hållbar effekthantering under belastning
• Maximal RDS(on) på 5 Ω begränsar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 80 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi
• 20 V gate-tolerans skyddar mot överdriven gate-drivenhet
• 3,1 A kontinuerlig ström stöder måttlig lastledning
• 125 W avledning möjliggör hållbar effekthantering under belastning
• Maximal RDS(on) på 5 Ω begränsar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 80 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi
• 20 V gate-tolerans skyddar mot överdriven gate-drivenhet
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används i industriella motorstyrningsstegen
• Idealisk för omkoppling i induktionsvärmesystem
• Kan användas för överspännings- eller klämkretsar på linjesidan
• Används för utbildnings- och prototypframtagning med genomgående hål
• Används i industriella motorstyrningsstegen
• Idealisk för omkoppling i induktionsvärmesystem
• Kan användas för överspännings- eller klämkretsar på linjesidan
• Används för utbildnings- och prototypframtagning med genomgående hål
Vilken monteringsmetod krävs för installation?
Den levereras i en TO-247AC-förpackning med genomgående hål avsedd för bult- eller lödmontering på ett kretskort och kylelementgränssnitt för effektiv termisk koppling.
Hur beter den sig i extrema temperaturer?
Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora variationer i omgivnings- och kopplingstemperatur.
Vilka begränsningar för grinddrivning bör konstruktörer observera?
Grinden måste drivas inom ±20 V max för att undvika överskridande av grind-källspänningsgränser och för att upprätthålla tillförlitlig omkoppling.
Finns det några material- eller miljöbegränsningar?
Den uppfyller RoHS-kraven, vilket begränsar vissa farliga ämnen i sin konstruktion.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 1000 V, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG30
- Vishay N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.8 A 600 V, TO-247AC
- Vishay N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 27 A 600 V, 3 Ben, TO-247AC
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247AC, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.1 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG50
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP360
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET