Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 101 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 130,00 kr

(exkl. moms)

13 920,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,71 kr11 130,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
252-0317
Tillv. art.nr:
SQS141ELNW-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

101A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8SLW

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

192W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

94nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Wettable flank terminals

Low thermal resistance with 0.75 mm profile

Relaterade länkar