Vishay N Kanal, MOSFET, 110 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

12 330,00 kr

(exkl. moms)

15 420,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,11 kr12 330,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
252-0319
Tillv. art.nr:
SQS142ELNW-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

110A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8SLW

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

94nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

192W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

3.3mm

Längd

6.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay fordons-MOSFET-transistorer tillverkas på ett dedikerat processflöde för stadig robusthet. Vishay siliconix AEC-Q101-kvalificerade SQ-serien är klassad för en maximal kopplingstemperatur på 175 °C och har n- och p-kanaliga trench FET-tekniker med låg påslagningsresistans i bly (Pb)- och halogenfria SO-kapslar.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

AEC-Q101-godkänd

100 % Rg och UIS-testad

Vätbara flankterminaler

Låg termisk resistans med 0,75 mm profil

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.