Infineon N Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 250-0529
Tillv. art.nr:: BSP129H6906XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

3 388,00 kr

(exkl. moms)

4 235,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 4 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	3,388 kr	3 388,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 250-0529
Tillv. art.nr:: BSP129H6906XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	0.12A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SOT-223
	Serie	BSP
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.4mΩ
	Kanalläge	Avskrivningar
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.12A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SOT-223
	Serie BSP
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ
	Kanalläge Avskrivningar
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - BSP129H6906XTSA1

Infineon SIPMOS®-serien MOSFET, 280 mA maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,8 W maximal effektförlust - BSP129H6906XTSA1

Denna småsignaltransistor är en effektiv lösning för enheter som kräver hög spänning och ytmonteringsförmåga. Som en N-kanal MOSFET med utarmningsläge möjliggör den effektiv drift i olika elektroniska tillämpningar. Med en maximal dräneringskällspänning på 240 V och en kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 280 mA är denna produkt väl lämpad för automations- och fordonstillämpningar, vilket gör den till ett tillförlitligt val för att hantera ström i olika elektroniska kretsar.

Funktioner & fördelar

• N-kanalkonfiguration stöder effektiva omkopplingsoperationer

• Funktionaliteten för utarmningsläge säkerställer konstant strömprestanda

• Hög spänning ger mångsidighet i applikationer

• Låg grindgränsspänning förbättrar systemkompatibiliteten

• Ytmonterad konstruktion möjliggör utrymmesbesparande installationer

• AEC-Q101-kvalificerad, lämplig för fordonsanvändning

Användningsområden

• Lämplig för fordonsstyrningssystem

• Kan användas i strömhanteringskretsar

• Konsumentelektronik för ökad effektivitet

Hur kan korrekt installation säkerställas för optimal prestanda?

Installera MOSFET på kretskortet enligt specificerade monteringsriktlinjer, vilket säkerställer korrekt värmehantering för effektiv värmeavledning.

Vad bör övervägas för värmehantering under drift?

Termisk resistans måste övervakas, eftersom driftstemperaturen varierar från -55 °C till +150 °C, vilket kräver adekvat kretskortsdesign för att underlätta effektiv värmeledning.

Vilken typ av grinddrivare rekommenderas för denna produkt?

En grindspänning inom det angivna intervallet på ±20 V är avgörande för optimala omkopplingsegenskaper, vilket säkerställer tillförlitlig drift inom olika tillämpningar.

Kan denna MOSFET användas i höghastighetsomkopplingstillämpningar?

Ja, den är utformad för att fungera effektivt i höghastighetsomkopplingsscenarier, tack vare specificerade tillslagnings- och avstängningsfördröjningar.

Vad bör noteras om grindladdningsegenskaper?

Den totala grindladdningen vid 5 V är cirka 3,8 nC, vilket optimerar energieffektiviteten vid omkoppling utan att lägga överdriven belastning på drivkretsarna.