Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 225-0554
- Tillv. art.nr:
- BSP135IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 2000 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
2 258,00 kr
(exkl. moms)
2 822,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 2,258 kr | 2 258,00 kr | - |
| 2000 - 2000 | 2,145 kr | 2 145,00 kr | 5% |
| 3000 + | 2,01 kr | 2 010,00 kr | 10% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-0554
- Tillv. art.nr:
- BSP135IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | BSP135I | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie BSP135I | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon BSP135I-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 120 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSP135IXTSA1
Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalutarmningsenhet som är utformad för ytmonterad effektstyrning under krävande driftsförhållanden. Den fungerar som en omkopplings- och strömstyrningskomponent som kan hantera förhöjd dränerings-till-källspänning samtidigt som den arbetar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för tuffa miljöer.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappnings-till-källklassning möjliggör högspänningsomkoppling
• Maximal RDS(on) på 60 Ω ger låg ledningsförlust i påläge
• Maximal effektförlust på 1.8 W stöder blygsamma termiska belastningar
• 120 mA kontinuerlig dräneringsström för stabila lågströmstillämpningar
• 3.7 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximalt 20 V gate-source-motstånd för robust gate-hantering
• Maximal RDS(on) på 60 Ω ger låg ledningsförlust i påläge
• Maximal effektförlust på 1.8 W stöder blygsamma termiska belastningar
• 120 mA kontinuerlig dräneringsström för stabila lågströmstillämpningar
• 3.7 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximalt 20 V gate-source-motstånd för robust gate-hantering
Användningsområden
• Lämplig för högspänningskopplingskretsar i strömförsörjningar
• Idealisk för fordonselektronik som kräver robusta komponenter
• Används med ytmonterade enheter på kompakta kort
• Kan användas för strömbegränsning eller avkänning i styrkretsar
• Lämplig för miljöer med värmestress från −55 °C till 150 °C
• Idealisk för fordonselektronik som kräver robusta komponenter
• Används med ytmonterade enheter på kompakta kort
• Kan användas för strömbegränsning eller avkänning i styrkretsar
• Lämplig för miljöer med värmestress från −55 °C till 150 °C
Vilken typ av förpackning använder den för kretskortsmontering?
Den levereras i ett SOT-223-paket konfigurerat för ytmontering.
Vilken elektrisk polaritet och vilket ledningsläge använder den?
Enheten är N-kanal och fungerar i utarmningsläge.
Vilket antal stift finns tillgängligt för kortlayout?
Komponenten har fyra stift för anslutning och montering.
Vilken fysisk profil bör tillåtas för kapslingsdesign?
Komponenten mäter 6,7 mm längd, 3,7 mm bredd och 1,8 mm höjd.
Vilken fordonsstandard uppfylls för fordonsanvändning?
Den överensstämmer med AEC‐Q101-standarden för fordonskomponenter.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 40 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSS123I
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101