DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- RS-artikelnummer:
- 246-7496
- Tillv. art.nr:
- DMC2053UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
53,75 kr
(exkl. moms)
67,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 750 enhet(er) från den 24 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,15 kr | 53,75 kr |
| 50 - 75 | 2,101 kr | 52,53 kr |
| 100 - 225 | 1,554 kr | 38,85 kr |
| 250 - 975 | 1,519 kr | 37,98 kr |
| 1000 + | 1,483 kr | 37,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7496
- Tillv. art.nr:
- DMC2053UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | UDFN-2020 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.168Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±12 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.14W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp UDFN-2020 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.168Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±12 V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.14W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The DiodesZetex makes a complementary pair enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2020-6 packaging and 0.6mm profile makes it ideal for low profile applications . It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.
Maximum drain to source voltage is 20 V Maximum gate to source voltage is ±12 V It has PCB Footprint of 4mm^2 It offers low gate threshold voltage It provides an ESD protected Gate
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P MOSFET 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N MOSFET 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P Kanal 10.7 A 12 V Förbättring UDFN-2020 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P MOSFET 30 V, UDFN-2020-6
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal 6 Ben, UDFN-2020