DiodesZetex 2 Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 298,00 kr

(exkl. moms)

2 874,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,766 kr2 298,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
246-6798
Tillv. art.nr:
DMN2710UDW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-363

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.75Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.36W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.6nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

DiodesZetex gör en MOSFET med N-kanalförstärkningsläge, utformad för att minimera motståndet i påläge (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i SOT363-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning.

Maximal dränering till källspänning är 20 V och maximal grind till källspänning är ±6 V. Den erbjuder en ultraliten kapslingsstorlek. Den har låg in-/utgångsläckage

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.