Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-9740
- Tillv. art.nr:
- IPD60R145CFD7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
43,01 kr
(exkl. moms)
53,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 417 enhet(er) från den 16 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 43,01 kr |
| 10 - 24 | 40,77 kr |
| 25 - 49 | 40,21 kr |
| 50 - 99 | 37,41 kr |
| 100 + | 34,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-9740
- Tillv. art.nr:
- IPD60R145CFD7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons IPD60R145CFD7ATMA1 600 V CoolMOS CFD7 är Infineons senaste högspännings superjunction MOSFET-teknik med integrerad snabb kroppsdiod, som kompletterar CoolMOS 7-serien. CoolMOS CFD7 levereras med reducerad grindladdning (Qg), förbättrat avstängningsbeteende och en omvänd återställningsladd (Qrr) på upp till 69 % lägre jämfört med konkurrenterna, samt den lägsta omvända återställningstiden (trr) på marknaden.
Ultrasnabb kroppsdiod
Klassens bästa omvänd återställningsladd (Qrr)
Förbättrad omvänd diod dv/dt och dif/dt robusthet
Lägsta FOM RDS(on) x Qg och Eoss
Klassens bästa RDS(on)/paketkombinationer
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101