Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 137,50 kr

(exkl. moms)

16 422,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 25005,255 kr13 137,50 kr
5000 +5,124 kr12 810,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-1591
Tillv. art.nr:
IPD30N12S3L31ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

N

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET OptiMOSTM effekt-MOSFET för fordonstillämpningar är en grön produkt som uppfyller RoHS och är AEC Q101-kvalificerad för fordon.

N-kanal – Förbättringsläge

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.