Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanal, MOSFET och diod, 40 A 30 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM
- RS-artikelnummer:
- 244-1559
- Tillv. art.nr:
- BSC0924NDIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
52,98 kr
(exkl. moms)
66,225 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 790 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 10,596 kr | 52,98 kr |
| 25 - 45 | 10,058 kr | 50,29 kr |
| 50 - 120 | 9,05 kr | 45,25 kr |
| 125 - 245 | 8,154 kr | 40,77 kr |
| 250 + | 7,75 kr | 38,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-1559
- Tillv. art.nr:
- BSC0924NDIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Antal ben | 8 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC1, IEC61249-2-22 | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Antal ben 8 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC1, IEC61249-2-22 | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon har MOSFET som är OptiMOS Power MOSFET, integrerad monolithisk Schottky-liknande diod och optimerad för högpresterande Buck-omvandlare.
N-kanal
100 % avalanche-testad
AEC Q101-kvalificerade
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanal, MOSFET och diod, 40 A 30 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM
- Infineon Typ N Kanal Dubbel N-kanals normalnivå förbättringsläge, MOSFET, 16 A 100 V Dubbel N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Typ N Kanal Halvbrygga, Effekttransistor, 45 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon 2 Typ N Kanal Dual N Channel Normal nivå, MOSFET, 20 A 60 V Dubbel N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPG20N06S4-15A
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOSTM
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ