Infineon N Kanal Halvbrygga, Effekttransistor, 45 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-6887
Tillv. art.nr:
IAUC45N04S6N070HATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

45A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOSTM

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

8

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9nC

Maximal effektförlust Pd

41W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Transistorkonfiguration

Halvbrygga

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS är en effekt-MOSFET för fordonstillämpningar. Driftkanalen är N. Den är AEC Q101-kvalificerad. MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning. Grön produkt (RoHS-kompatibel) och den är 100 % Avalanche-testad.

175 °C drifttemperatur

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.