Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-0907
- Tillv. art.nr:
- IPT026N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
39,20 kr
(exkl. moms)
49,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 632 enhet(er) från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 39,20 kr |
| 10 - 24 | 37,41 kr |
| 25 - 49 | 35,62 kr |
| 50 - 99 | 34,16 kr |
| 100 + | 31,81 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-0907
- Tillv. art.nr:
- IPT026N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons n-kanals effekt-MOSFET IPT026N10N5 i TO-Leadless (TOLL)-paket är idealiskt lämpad för höga omkopplingsfrekvenser. Med en 60 % utrymmesreducering jämfört med D2PAK 7-stiftspaket är TOLL den perfekta lösningen där högsta effektivitet, utmärkt EMI-beteende samt bästa termiska beteende och utrymmesreducering krävs.
Idealisk för högfrekvent omkoppling och synkronisering
Utmärkt grindladdning x RDS(on)produkt (FOM)
Mycket låg på-resistans RDS(on)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 319 V, 16 Ben, TO-263, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V, 7 Ben, TO-263, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V, 16 Ben, TO-263, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPL AEC-Q101