Infineon 2 Typ P Kanal, MOSFET, -3.4 A -55 V, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
243-9284
Tillv. art.nr:
AUIRF7342QTR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-3.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

-55V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

8

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

2W

Framåtriktad spänning Vf

-55V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The Infineon AUIRF7342QTR N-Channel Power MOSFET specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

Advanced Planar Technology

Low On-Resistance

Logic Level Gate Drive

Dual P Channel MOSFET

Dynamic dv/dt Rating

150°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead-Free, RoHS Compliant

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.