Infineon 2 Typ P Kanal, MOSFET, -3.4 A -55 V, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 243-9284
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7342QTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 243-9284
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7342QTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -3.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -55V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Antal ben | 8 | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -55V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -3.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -55V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Antal ben 8 | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -55V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon AUIRF7342QTR N-Channel Power MOSFET specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Advanced Planar Technology
Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
Dual P Channel MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
150°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free, RoHS Compliant
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ P Kanal, MOSFET, -3.4 A -55 V, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.4 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4.7 A -55 V, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET