Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.29 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- RS-artikelnummer:
- 235-4875
- Tillv. art.nr:
- ISP14EP15LMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
83,78 kr
(exkl. moms)
104,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 850 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,378 kr | 83,78 kr |
| 100 - 240 | 7,93 kr | 79,30 kr |
| 250 - 490 | 7,795 kr | 77,95 kr |
| 500 - 990 | 7,314 kr | 73,14 kr |
| 1000 + | 6,787 kr | 67,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-4875
- Tillv. art.nr:
- ISP14EP15LMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | ISP | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.38Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.35mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie ISP | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.38Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.35mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons OptiMOSTM P-kanal MOSFET 150 V i SOT-223-paket representerar den nya tekniken som riktar sig till tillämpningar för batterihantering, lastomkopplare och skydd mot omvänd polaritet. Den största fördelen med en P-kanalenhet är minskad designkomplexitet i tillämpningar med medelstor och låg effekt. Enkelt gränssnitt till MCU, snabb omkoppling samt avalanche-robusthet gör den lämplig för krävande tillämpningar av hög kvalitet. Den finns tillgänglig på logiknivå med ett brett RDS(on)-område och förbättrar effektiviteten vid låga belastningar på grund av låg Qg. Den används inom batterihantering, industriell automation.
Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens
Avalanche-tålighet
Ytmonteringspaket med industristandard
Robust, tillförlitlig prestanda
Ökad försörjningssäkerhet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.29 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 990 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -2.8 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101