Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK88
- RS-artikelnummer:
- 243-4876
- Tillv. art.nr:
- PSMNR55-40SSHJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
74 790,00 kr
(exkl. moms)
93 488,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 37,395 kr | 74 790,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-4876
- Tillv. art.nr:
- PSMNR55-40SSHJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | LFPAK88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp LFPAK88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias N-kanalförstärkningsläge MOSFET i LFPAK88-paket har 500 A kontinuerlig ström, standardnivågrindrivning. Next Power S3-familjen med Nexperias unika ”Schottky Plus”-teknik ger hög effektivitet och låg spikprestanda som vanligtvis förknippas med MOSFET-enheter med en integrerad Schottky- eller Schottky-liknande diod men utan problematisk hög läckström. Next Power S3 är särskilt lämpad för tillämpningar med hög effektivitet vid höga omkopplingsfrekvenser och även säker och tillförlitlig omkoppling vid hög belastningsström.
Kopparklämma och lödningsmutterfäste för låg kapslingsinduktans och motstånd, och hög ID (max)-klassning
Idealisk ersättning för D2PAK- och 10 x 12 mm blyfria kapslingstyper
Kvalificerad till 175 °C
Uppfyller UL2595-kraven för krypning och avstånd
Avalanche-klassad, 100 % testad
Låg QG, QGD och QOSS för hög effektivitet, särskilt vid högre omkopplingsfrekvenser
Supersnabb omkoppling med mjuk kroppsdiodåterhämtning för låg spikning och ringning, rekommenderas för konstruktioner med låg EMI
Borstlös DC-motorstyrning
Synkron likriktare i högeffekts-AC-till-DC-tillämpningar, t. ex. servernätaggregat
Batteriskydd och batterihanteringssystem (BMS)
eFuse och belastningsomkopplare
Hotswap/in-rusströmshantering
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK88
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 0.41 A 50 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK88 AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 25 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 425 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 325 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM