Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E
- RS-artikelnummer:
- 243-4872
- Tillv. art.nr:
- PSMN3R5-80YSFX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
22 966,50 kr
(exkl. moms)
28 708,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 15,311 kr | 22 966,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-4872
- Tillv. art.nr:
- PSMN3R5-80YSFX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | LFPAK56E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp LFPAK56E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias N-kanal MOSFET i LFPAK56E-paket är en standardnivågrindrivning som är kvalificerad för 175 °C och rekommenderas för industriella och konsumenttillämpningar.
Låg Qrr för högre effektivitet och lägre spikning
Låg QG x RDSon FOM för högeffektiva omkopplingstillämpningar
Stark avalanche-energiklassning (Eas)
Avalanche-godkänd och 100 % testad
Synkron likriktare i AC-DC och DC-DC
Primäromkopplare på sidan i DC-DC
BLDC-motorstyrning
USB-PD-adaptrar
Helbrygg- och halvbryggtillämpningar
Flyback- och resonanstopologier
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK88
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 25 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 231 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
