Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 7 Ben, TO-263, IPA AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 242-0993
- Tillv. art.nr:
- IRL40SC209
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
60,59 kr
(exkl. moms)
75,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 104 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 60,59 kr |
| 10 - 24 | 57,68 kr |
| 25 - 49 | 56,34 kr |
| 50 - 99 | 52,86 kr |
| 100 + | 48,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 242-0993
- Tillv. art.nr:
- IRL40SC209
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IPA | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IPA | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons N-kanals effekt-MOSFET har 7 stift med D2PAK-paket. Drain-källspänningen (Vds) är 40 V. Den kontinuerliga drain-strömmen (Id) är 478 A. Drifttemperaturen spänner från -55 °C till 175 °C.
Teknik för ytmontering
Effektförlusten är 375 W
Typiska tillämpningar: DC-motorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 7 Ben, TO-263, IPA AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 3 Ben, TO-263, IPA AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V P, 3 Ben, TO-263, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.9 A N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14.1 A N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.1 A N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V N, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101