Infineon N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 3 Ben, TO-263, IPA AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 1600 till för att spara 5%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

15 471,20 kr

(exkl. moms)

19 339,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
Besparing
800 - 80019,339 kr15 471,20 kr-
1600 +18,372 kr14 697,60 kr5%

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-0990
Tillv. art.nr:
IRF100S201
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

192A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

IPA

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.9mΩ

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons effekt-MOSFET med enkel N-kanal har en maximal dräneringsström på 192 A. Drifttemperaturen för effekt-MOSFET är -55 °C till 175 °C. Den är idealisk för lågfrekvenstillämpningar som kräver prestanda och robusthet.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ytmonterad förpackning enligt industristandard

Högströmsklassning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.