Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 240-6620
- Tillv. art.nr:
- IPL65R130CFD7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
22,85 kr
(exkl. moms)
28,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 22,85 kr |
| 10 - 24 | 21,73 kr |
| 25 - 49 | 20,72 kr |
| 50 - 99 | 19,94 kr |
| 100 + | 18,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-6620
- Tillv. art.nr:
- IPL65R130CFD7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IPL | |
| Kapseltyp | ThinPAK 8x8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IPL | ||
Kapseltyp ThinPAK 8x8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons 650 V CoolMOSTM CFD7 superkopplings-MOSFET levereras i ett ThinPAK 8x8-paket och är idealiskt lämpad för resonanstopologier i industriella applikationer, t.ex. server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där det möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Som en efterföljare till CFD2 SJ MOSFET-familjen levereras den med reducerad grindladdning, förbättrat avstängningsbeteende och reducerad omvänd återställningsladdning som möjliggör högsta effektivitet och effekttäthet samt ytterligare 50 V brytspänning.
Avsevärt minskade omkopplingsförluster jämfört med konkurrenterna
Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning
Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar
Hög effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 700 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon SiC Schottkydiod Schottky, 650 V, 10 A, 5 Ben ThinPAK 8x8
- Infineon N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 5 Ben, ThinPAK 5x6, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V, 5 Ben, ThinPAK 5x6, IPL AEC-Q101