Infineon N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL
- RS-artikelnummer:
- 217-2538
- Tillv. art.nr:
- IPL60R125P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
127,41 kr
(exkl. moms)
159,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 940 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 25,482 kr | 127,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2538
- Tillv. art.nr:
- IPL60R125P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | ThinPAK | |
| Serie | IPL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 8.8mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 8.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp ThinPAK | ||
Serie IPL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 8.8mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 8.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPL-serien MOSFET, 600 V drain source-spänning, 27 A kontinuerlig drain-ström – IPL60R125P7AUMA1
Denna MOSFET är en högspänningskopplingstransistor som är utformad för ytmonterade tillämpningar för strömomvandling och styrning. Den fungerar i förstärkningsläge med en N-typ-kanal och är avsedd för användning där hög spänningshantering och betydande kontinuerlig ström krävs. Enheten passar för termiska miljöer som sträcker sig långt under frysning till drift vid höga temperaturer.
Funktioner och fördelar:
• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkoppling i kompakta kretsar
• Kontinuerlig dräneringsström på 27 A stöder kontinuerlig lastdrift
• 0,125 Ω RDS(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 111 W effektförlust möjliggör hög termisk genomströmning
• 36nC grindladdning balanserar krav på omkopplingshastighet och drivning
• Kontinuerlig dräneringsström på 27 A stöder kontinuerlig lastdrift
• 0,125 Ω RDS(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 111 W effektförlust möjliggör hög termisk genomströmning
• 36nC grindladdning balanserar krav på omkopplingshastighet och drivning
Användningsområden
• Lämplig för högspännings-DC-DC-omvandlare i industriella system
• Idealisk för motordrivna frontändar som kräver kontinuerlig ström
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringssteg i strömförsörjningar
• Används med halvledarreläer och elektroniska omkopplingsmoduler
• Lämplig för kraftaggregat med hög temperatur upp till 150 °C
• Idealisk för motordrivna frontändar som kräver kontinuerlig ström
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringssteg i strömförsörjningar
• Används med halvledarreläer och elektroniska omkopplingsmoduler
• Lämplig för kraftaggregat med hög temperatur upp till 150 °C
Vilka överväganden bör jag tillåta för gate-drivning?
Grinden kräver en drivare som kan leverera en typisk grindladdning på 36 nC för att uppnå förväntad omkopplingsprestanda samtidigt som den respekterar en maximal grind-källspänning på 20 V.
Hur ska termisk design ta hänsyn till avledning?
Termisk layout måste rymma en maximal effektförlust på 111 W, med lämpligt kopparområde för kretskort eller termiska vägar och kylelement för att bibehålla kopplingstemperaturer inom nominella gränser.
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i ett ThinPAK-paket för ytmontering med fem stift för att underlätta låginduktansanslutningar och kompakt kortplacering.
Vilka är de säkra driftstemperaturerna?
Enheten fungerar i ett brett intervall från −40 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med både kallstart och förhöjd temperatur.
Vilka spännings- och strömpåfrestningar är tillåtna på avloppet?
Drain kan utsättas för maximalt 600 V och en kontinuerlig ström på upp till 27 A, samtidigt som RDS(on) och effektförlust hålls inom specificerade värden.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 700 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 5x6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
