Infineon N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

127,41 kr

(exkl. moms)

159,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 940 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +25,482 kr127,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2538
Tillv. art.nr:
IPL60R125P7AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

27A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

ThinPAK

Serie

IPL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

111W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

8.8mm

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

8.8mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IPL-serien MOSFET, 600 V drain source-spänning, 27 A kontinuerlig drain-ström – IPL60R125P7AUMA1


Denna MOSFET är en högspänningskopplingstransistor som är utformad för ytmonterade tillämpningar för strömomvandling och styrning. Den fungerar i förstärkningsläge med en N-typ-kanal och är avsedd för användning där hög spänningshantering och betydande kontinuerlig ström krävs. Enheten passar för termiska miljöer som sträcker sig långt under frysning till drift vid höga temperaturer.

Funktioner och fördelar:


• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkoppling i kompakta kretsar
• Kontinuerlig dräneringsström på 27 A stöder kontinuerlig lastdrift
• 0,125 Ω RDS(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 111 W effektförlust möjliggör hög termisk genomströmning
• 36nC grindladdning balanserar krav på omkopplingshastighet och drivning

Användningsområden


• Lämplig för högspännings-DC-DC-omvandlare i industriella system
• Idealisk för motordrivna frontändar som kräver kontinuerlig ström
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringssteg i strömförsörjningar
• Används med halvledarreläer och elektroniska omkopplingsmoduler
• Lämplig för kraftaggregat med hög temperatur upp till 150 °C

Vilka överväganden bör jag tillåta för gate-drivning?


Grinden kräver en drivare som kan leverera en typisk grindladdning på 36 nC för att uppnå förväntad omkopplingsprestanda samtidigt som den respekterar en maximal grind-källspänning på 20 V.

Hur ska termisk design ta hänsyn till avledning?


Termisk layout måste rymma en maximal effektförlust på 111 W, med lämpligt kopparområde för kretskort eller termiska vägar och kylelement för att bibehålla kopplingstemperaturer inom nominella gränser.

Vilket paket och monteringsmetod använder den?


Den levereras i ett ThinPAK-paket för ytmontering med fem stift för att underlätta låginduktansanslutningar och kompakt kortplacering.

Vilka är de säkra driftstemperaturerna?


Enheten fungerar i ett brett intervall från −40 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med både kallstart och förhöjd temperatur.

Vilka spännings- och strömpåfrestningar är tillåtna på avloppet?


Drain kan utsättas för maximalt 600 V och en kontinuerlig ström på upp till 27 A, samtidigt som RDS(on) och effektförlust hålls inom specificerade värden.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.