Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
240-6614
Tillv. art.nr:
IPL65R095CFD7AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

ThinPAK 8x8

Serie

IPL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

95mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

171W

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

8.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons 650 V CoolMOSTM CFD7 superkopplings-MOSFET levereras i ett ThinPAK 8x8-paket och är idealiskt lämpad för resonanstopologier i industriella applikationer, t.ex. server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där det möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Som en efterföljare till CFD2 SJ MOSFET-familjen levereras den med reducerad grindladdning, förbättrat avstängningsbeteende och reducerad omvänd återställningsladdning som möjliggör högsta effektivitet och effekttäthet samt ytterligare 50 V brytspänning.

Avsevärt minskade omkopplingsförluster jämfört med konkurrenterna

Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning

Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar

Hög effekttäthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.