Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 25 V, 6 Ben, PQFN, ISK AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 240-6377
- Tillv. art.nr:
- ISK024NE2LM5
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
36,85 kr
(exkl. moms)
46,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 14 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 7,37 kr | 36,85 kr |
| 25 - 45 | 6,988 kr | 34,94 kr |
| 50 - 120 | 6,272 kr | 31,36 kr |
| 125 - 245 | 5,644 kr | 28,22 kr |
| 250 + | 5,398 kr | 26,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-6377
- Tillv. art.nr:
- ISK024NE2LM5
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | ISK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.81V | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie ISK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.81V | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM 5 effekt-MOSFET 25 V, 2, 4 mΩ, minsta formfaktor i PQFN 2x2-paket. Med den nya BIC OptiMOSTM 5 i 25 V- och 30 V-produktfamiljen erbjuder Infineon en klassens bästa lösning för effektivitet i en liten formfaktor, vilket gör den till den perfekta lösningen för tillämpningar som trådlös laddning, lastswitchar och DCDC-tillämpningar med låg effekt. Det lilla PQFN 2x2-paketet med 4 mm2-fotavtryck, i kombination med utmärkta elektriska prestanda, bidrar till formfaktorförbättring i slutanvändningar, med låg RDSon på 2,4 mΩ.
Överlägsen värmebeständighet för en PQFN 2x2-kapsel
Optimerad för högsta prestanda och effekttäthet
Industrins lägsta RDSon i minsta PQFN 2x2-paket
N-kanal
100 % avalanche-testad
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 25 V, 6 Ben, PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101