Infineon N Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- RS-artikelnummer:
- 236-3642
- Tillv. art.nr:
- BSC005N03LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*
41 450,00 kr
(exkl. moms)
51 800,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 8,29 kr | 41 450,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3642
- Tillv. art.nr:
- BSC005N03LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 433A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.5mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5.49mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.35mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 433A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.5mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5.49mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.35mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 433 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC005N03LS5ATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och betydande kontinuerlig dräneringsströmkapacitet när den monteras i en TDSON-kapsel.
Funktioner och fördelar:
• 433 A kontinuerlig dräneringsström möjliggör omkoppling vid höga strömmar
• Låg Rds(on) på 5,5 mΩ minskar ledningsförluster under belastning
• 30 V drain-source-klassning möjliggör medelstora spänningsstegen
• 188 W effektförlust med stöd för hantering av hög effekt
• 59 nC grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivarenergiplanering
• Maximal gate-källspänning på ±20 V ger bred drivmarginal
• Låg Rds(on) på 5,5 mΩ minskar ledningsförluster under belastning
• 30 V drain-source-klassning möjliggör medelstora spänningsstegen
• 188 W effektförlust med stöd för hantering av hög effekt
• 59 nC grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivarenergiplanering
• Maximal gate-källspänning på ±20 V ger bred drivmarginal
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlare och regulatorer med hög strömstyrka
• Idealisk för serverströmsskenor och strömförsörjningsmoduler för telekommunikation
• Används med motorstyrningssteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter
• Idealisk för serverströmsskenor och strömförsörjningsmoduler för telekommunikation
• Används med motorstyrningssteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter
Vilka förpackningsaspekter påverkar värmehanteringen?
Ytmonteringspaketet TDSON ger ett lågprofilsfotavtryck och kräver lämplig kopparyta på kretskortet eller termiska vägar för att dissipera sin 188 W-klassning effektivt inom termiska begränsningar på kortnivå.
Hur klarar enheten tuffa omgivningstemperaturer?
Den är specifik för drift från -55 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning över ett brett temperaturområde utan nedgradering för många miljöer med höga temperaturer.
Vilka krav på grinddrivning bör iakttas?
Drivkretsar måste hålla grindspänningen inom ±20 V och ta hänsyn till den totala grindladdningen på 59 nC vid dimensionering av drivningens toppström och omkopplingstimering.
Hur ska konstruktörer planera för lednings- och omkopplingsförluster?
Använd 5,5 mΩ Rds(on) för att uppskatta I^2R-konduktionsförluster och inkludera energi för laddning av 59 nC-grinden när du beräknar totala termiska och verkningsgrader.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 257 A 60 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 25 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
