Infineon N Kanal, MOSFET, 333 A 80 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

RS-artikelnummer:: 236-1586
Tillv. art.nr:: IPT013N08NM5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 333 A 80 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

104 480,00 kr

(exkl. moms)

130 600,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 23 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	52,24 kr	104 480,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 236-1586
Tillv. art.nr:: IPT013N08NM5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	333A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	HSOF-8
	Serie	IPT
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.3mΩ
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	158nC
	Maximal effektförlust Pd	278W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	2.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	10.58mm
	Längd	10.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 333A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp HSOF-8
	Serie IPT
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.3mΩ
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 158nC
	Maximal effektförlust Pd 278W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 2.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 10.58mm
	Längd 10.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPT013N08NM5LFATMA1

Infineon IPT-serien MOSFET, 80 V maximal drain-källspänning, 333 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT013N08NM5LFATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den fungerar över ett brett omgivningsområde och ger betydande kontinuerlig dräneringsström och spänningskapacitet för industri- och strömomvandlingstillämpningar.

Funktioner och fördelar:

• 333 A kontinuerlig avtappningsström för hantering av tung belastning
• 80 V drain-to-source-klassning för system med medelhög spänning
• 1.3 mΩ låg Rds(on) för att minska ledningsförluster
• Maximal effektförlust på 278 W för termiskt huvudutrymme
• 158 nC typisk grindladdning för förutsägbart omkopplingsbeteende

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka
• Idealisk för motordrivenheter och dragväxelriktare
• Används med strömfördelningsmoduler i servrar
• Kan användas för batterihanteringssystem med hög effekt

Vilket grindspänningsområde är tillåtet för att driva denna enhet?

Grinden kan drivas upp till 20 V i förhållande till källan utan att överskrida den angivna gränsen.

Vilken kapsling och monteringsstil använder den för montering?

Den levereras i en HSOF-8-kapsel konfigurerad för ytmontering på kretskortsmonteringar.

Hur fungerar enheten vid låga temperaturer?

Den är klassad för drift ned till -55 °C, vilket möjliggör användning i installationer med kallt klimat.

Vilka är de fysiska inkapslingsmätningarna relevanta för kretskortsplanering?

Komponenten mäter 10,1 mm x 10,58 mm med en höjd på 2,4 mm.

Är denna enhet specificerad för att uppfylla standarder för fordonsindustrin?

Den är inte klassad som en komponent av fordonskvalitet.