Infineon N Kanal, MOSFET, 454 A 60 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

81,31 kr

(exkl. moms)

101,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 981,31 kr
10 - 2477,39 kr
25 - 4974,03 kr
50 - 9970,67 kr
100 +65,97 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-1585
Tillv. art.nr:
IPT008N06NM5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

454A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

HSOF-8

Serie

IPT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.8mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

185nC

Maximal effektförlust Pd

278W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.1mm

Höjd

2.4mm

Bredd

10.58mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IPT-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 454 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT008N06NM5LFATMA1


Denna MOSFET är en högströmsomkopplingstransistor som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar och erbjuder robust termisk tolerans och betydande strömkapacitet för krävande kretsar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för system som kräver låg ledningsförlust och betydande effekthantering i en kompakt kapsel.

Funktioner och fördelar:


• Maximal dräneringsspänning på 60 V ger högspänningsomkopplingsförmåga
• 454 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Maximal RDS(on) på 0.8 mΩ minskar ledningsförluster i strömkanaler
• Maximal effektförlust på 278 W möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 185 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingskontroll
• ±20 V gate-source-klassning möjliggör breda gate-drivenhetsmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för högströmsmotordrivningsstegen
• Kan användas för utgångsswitchar för DC/DC-omvandlare
• Idealisk för strömfördelning i serverströmförsörjningar
• Används med batterihanteringsmoduler som hanterar stora strömmar
• Lämplig för omkopplingssteg för industriella växelriktare

Vilken värmebeständighet kan förväntas i tuffa miljöer?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i breda temperaturförhållanden.

Hur påverkar förpackningen montering och layout?


HSOF-8-paketet för ytmontering underlättar kompakt placering av kretskort och låginduktansanslutningar för strömspårningar.

Vilka grinddrivaröverväganden krävs för omkoppling?


Utforma grinddrivare för att leverera tillräcklig laddning för 185 nC-grinden för att uppnå önskade omkopplingshastigheter samtidigt som gränsen för grind-källa på ±20 V respekteras.

Hur ska konstruktörer hantera effektförlust i höga belastningsscenarier?


Se till att kopparytan på kretskortet och de termiska vägarna är anpassade för att hantera 278 W-förlusten och att kopplingstemperaturen hålls inom gränser.

Vilken ledningsförmåga kan förväntas under kontinuerlig drift?


Förvänta låg spänningsfall i påläge tack vare det maximala drain-source-motståndet på 0,8 mΩ, vilket gynnar effektiviteten vid kontinuerliga höga strömförhållanden.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.