Infineon N Kanal, MOSFET, 454 A 60 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

RS-artikelnummer:: 236-1584
Tillv. art.nr:: IPT008N06NM5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 454 A 60 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

73 114,00 kr

(exkl. moms)

91 392,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 09 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	36,557 kr	73 114,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 236-1584
Tillv. art.nr:: IPT008N06NM5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	454A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	IPT
	Kapseltyp	HSOF-8
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.8mΩ
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	185nC
	Maximal effektförlust Pd	278W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	2.4mm
	Bredd	10.58mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 454A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie IPT
	Kapseltyp HSOF-8
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.8mΩ
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 185nC
	Maximal effektförlust Pd 278W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 2.4mm
	Bredd 10.58mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPT008N06NM5LFATMA1

Infineon IPT-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 454 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT008N06NM5LFATMA1

Denna MOSFET är en högströmsomkopplingstransistor som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar och erbjuder robust termisk tolerans och betydande strömkapacitet för krävande kretsar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för system som kräver låg ledningsförlust och betydande effekthantering i en kompakt kapsel.

Funktioner och fördelar:

• Maximal dräneringsspänning på 60 V ger högspänningsomkopplingsförmåga
• 454 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Maximal RDS(on) på 0.8 mΩ minskar ledningsförluster i strömkanaler
• Maximal effektförlust på 278 W möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 185 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingskontroll
• ±20 V gate-source-klassning möjliggör breda gate-drivenhetsmarginaler

Användningsområden

• Lämplig för högströmsmotordrivningsstegen
• Kan användas för utgångsswitchar för DC/DC-omvandlare
• Idealisk för strömfördelning i serverströmförsörjningar
• Används med batterihanteringsmoduler som hanterar stora strömmar
• Lämplig för omkopplingssteg för industriella växelriktare

Vilken värmebeständighet kan förväntas i tuffa miljöer?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i breda temperaturförhållanden.

Hur påverkar förpackningen montering och layout?

HSOF-8-paketet för ytmontering underlättar kompakt placering av kretskort och låginduktansanslutningar för strömspårningar.

Vilka grinddrivaröverväganden krävs för omkoppling?

Utforma grinddrivare för att leverera tillräcklig laddning för 185 nC-grinden för att uppnå önskade omkopplingshastigheter samtidigt som gränsen för grind-källa på ±20 V respekteras.

Hur ska konstruktörer hantera effektförlust i höga belastningsscenarier?

Se till att kopparytan på kretskortet och de termiska vägarna är anpassade för att hantera 278 W-förlusten och att kopplingstemperaturen hålls inom gränser.

Vilken ledningsförmåga kan förväntas under kontinuerlig drift?

Förvänta låg spänningsfall i påläge tack vare det maximala drain-source-motståndet på 0,8 mΩ, vilket gynnar effektiviteten vid kontinuerliga höga strömförhållanden.