ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

99,79 kr

(exkl. moms)

124,74 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 999,79 kr
10 - 2490,50 kr
25 - 4986,24 kr
50 - 9984,56 kr
100 +74,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-2803
Tillv. art.nr:
SCT2450KEGC11
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247N

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27nC

Maximal effektförlust Pd

85W

Framåtriktad spänning Vf

4.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM SCT-serien SiC-effekt-MOSFET med N-kanal lämpar sig för solcellsväxelriktare, DC/DC-omvandlare, induktionsvärme och motorstyrningar. Den har låg påslagningsresistans och snabb omkopplingshastighet.

Snabb omvänd återhämtning

Enkel att parallellkoppla

Enkel att driva

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.