ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- RS-artikelnummer:
- 235-2797
- Tillv. art.nr:
- SCT2160KEHRC11
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
231,50 kr
(exkl. moms)
289,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 231,50 kr |
| 10 - 24 | 226,69 kr |
| 25 - 49 | 222,32 kr |
| 50 - 99 | 213,70 kr |
| 100 + | 209,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-2797
- Tillv. art.nr:
- SCT2160KEHRC11
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-247N | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 165W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-247N | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximal effektförlust Pd 165W | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM SCT-serien SiC-effekt-MOSFET med N-kanal lämpar sig för solcellsväxelriktare, DC/DC-omvandlare, induktionsvärme och motorstyrningar. Den har låg påslagningsresistans och snabb omkopplingshastighet.
Snabb omvänd återhämtning
Enkel att parallellkoppla
Enkel att driva
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263