ROHM N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 235-2693
- Tillv. art.nr:
- R6511END3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 235-2693
- Tillv. art.nr:
- R6511END3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 11 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 650 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Höjd | 10.4 mm | |
| Längd | 6.4 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 400 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 125 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 32 nC | |
| Bredd | 2.4 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 11 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 650 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Höjd 10.4 mm | ||
Längd 6.4 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 400 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 125 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 32 nC | ||
Bredd 2.4 mm | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 1.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252