ROHM Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MB5
- RS-artikelnummer:
- 235-2672
- Tillv. art.nr:
- QH8MB5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
50,06 kr
(exkl. moms)
62,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 5,006 kr | 50,06 kr |
| 50 - 90 | 4,917 kr | 49,17 kr |
| 100 - 240 | 3,898 kr | 38,98 kr |
| 250 - 990 | 3,786 kr | 37,86 kr |
| 1000 + | 2,946 kr | 29,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-2672
- Tillv. art.nr:
- QH8MB5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | QH8MB5 | |
| Kapseltyp | TSMT-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 44mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 850μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.1mm | |
| Höjd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie QH8MB5 | ||
Kapseltyp TSMT-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 850μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.1mm | ||
Höjd 2.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM dual N channel and P channel MOSFET which supports 40V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. By combining the optimum N channel + P channel, reduces the design efforts. It also contributes to lower power consumption of equipment.
Low on-resistance
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen Free
Relaterade länkar
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MB5
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MC5
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT, QH8MA3
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, RQ1 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, RQ1 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, RQ1 AEC-Q101