ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MC5

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
235-2673
Tillv. art.nr:
QH8MC5TCR
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TSMT-8

Serie

QH8MC5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

91mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

1.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.9mm

Längd

3.1mm

Bredd

0.85mm

Fordonsstandard

Nej

ROHM dubbel N-kanal och P-kanal MOSFET som stöder 60 V hållspänning. Den är utformad för 24 V-ingångsutrustning som t.ex. fabriksautomationsutrustning och motorer monterade på basstationer. Genom att kombinera den optimala N-kanalen + P-kanalen minskar designansträngningarna. Det bidrar också till lägre strömförbrukning av utrustning.

Låg på-resistans

Litet paket för ytmontering

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.