onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 80 V N, 8 Ben, DFN, NTMFS
- RS-artikelnummer:
- 229-6475
- Tillv. art.nr:
- NTMFSC010N08M7
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 229-6475
- Tillv. art.nr:
- NTMFSC010N08M7
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 61A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 78.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.25mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 61A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 78.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.25mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor N-Channel MOSFET produceras med hjälp av en avancerad Power Trench-process. Framsteg inom både kisel- och dubbla kylkapseltekniker har kombinerats för att erbjuda det lägsta on-state-motståndet samtidigt som utmärkta omkopplingsprestanda upprätthålls genom extremt låg koppling till omgivningstermisk resistans.
Förbättrad termisk kapacitet för paketet
Minskar ledningsförluster
Förbättrad systemeffektivitet
Förpackningsmaterialet uppfyller de senaste kraven
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 80 V N, 8 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 136 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 154 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 181 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 119 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 131 A 100 V N, 5 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS